檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "sputter".ekeyword (精準) and cdept.raw="光電工程研究所"
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此實驗以反應式離子束濺鍍法成長氧化銀薄膜,採用毛細式離子源(6∼8 kV、100∼500 uA)及陽極層離子源 (0.7 kV、13.5 mA) ,同時通入氬氣及氧氣,氬氣為濺鍍氣體,氧氣為反應氣體…
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本研究提出了一種整合式陽極層離子源離子束濺鍍模組(Integrated Anode Layer Ion Source Ion Beam Sputtering Module, IAIBS),並建立粒子…
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本研究利用反應式離子束濺鍍法成功地沉積了氧化鎳薄膜, 並且研究氧氣流量比及沉積基板溫度對於氧化鎳薄膜的光電特性影響。研究結果顯示,在 300℃下的NiO(200)的半高寬會比在 150℃下的NiO(…
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本研究開發出全濺鍍鍍膜製程之矽晶粒定位薄膜電晶體,其中以室溫反應性脈衝直流磁控濺鍍法實現了7 MV/cm崩潰電場之氧化矽膜,利用退火後其固定電荷達1.95×1011 cm-2,介面陷阱密度為6.4×…